Samsung は、ピンあたり 6 Gbps のデータ転送が可能な新しいモジュールで GDDR24 ポートフォリオを改善します。 主に高性能グラフィックス カードと人工知能 (AI) アクセラレータを対象としていますが、同社は他のアプリケーション向けの低電力バリアントもリリースする予定です。
Samsung は、次世代グラフィックス カードで使用される帯域幅を備えた業界初の GDDR6 RAM を発表しました。 Nvidia および AMD だけでなく、ラップトップ、ゲーム コンソール、データセンター用の AI アクセラレータにも使用されています。
韓国のハイテク大手は、新しい 16 GB メモリ チップのテストを既に開始しており、顧客は今月後半にテストを開始すると述べています。 また、商用利用可能性は将来の GPU リリースに結び付けられるため、まもなく新製品で 24Gb/s GDDR6 が見られるようになります。
この新しい GDDR6 モジュールの明らかな利点の 30 つは、以前のモジュールと比較して % 高速化できることです。 Samsung 18 ギガビット/秒。 つまり、フル装備のプレミアム グラフィックス カードは、最大 1,1 Tbit/s のメモリ帯域幅を提供できます。これは、275 秒間に 1080 本の p ムービーを転送するのに相当します。
GDDR6X とは異なり、Micron が協力して開発 Nvidia、新しい GDDR6 DRAM メモリから Samsung JEDEC 仕様に完全に準拠しています。 また、High-k 金属シャッター技術を使用しているため、エネルギー集約型が少ないことも期待されています。 これは、GDDR6X よりも遅くなるため、パフォーマンスが向上し、製造コストが安くなることも意味します。
制作といえば、 Samsung 6 nm (10z) テクノロジ ノードで GDDR1 の新しいラインを作成します。 また、同社は主に GPU と AI アクセラレータを新しいテクノロジでターゲットにしていますが、低電力アプリケーション向けに 20Gbps と 16Gbps のバリアントもリリースする予定です。 この目的のために Samsung また、必要に応じてエネルギー効率を 1,1% 向上させるために、1,35V から 20V まで電圧を調整できる動的電圧スイッチング技術を使用しています。
Samsung は、高性能グラフィックス市場が今後数年間で健全な 桁の成長を遂げると考えています。 同社は、この増え続けるパイの大きな部分を望んでいるので、高度なチップ製造技術を開発する競争で TSMC を打ち負かすためにあらゆる努力をしています。
先月、思い出させてください 会社が始めた 華城の施設で 3 nm プロセスを使用してチップを生産します。のような企業の興味を引くだけで十分でしょうか？ Nvidia、まだ不明ですが、 Samsung DRAM 業界の世界的リーダーであり続け、約 44% の市場シェアを誇っています。
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