期待される Samsung は来週、3nm チップの量産開始を発表する、と聯合ニュースは報じている。 これは、今年下半期に 3nm チップの生産を開始する予定の TSMC を上回っています。
5nm プロセス (Snapdragon 888 および Exynos 2100 に使用された) と比較して、Samsung の 3nm ノードは面積を 35% 削減し、パフォーマンスを 30% 向上させ、消費電力を 50% 削減します。
これは、Gate-All-Around (GAA) トランジスタ設計に切り替えることで実現されます。 これは、電流伝導能力を損なうことなくトランジスタのサイズを縮小できるため、FinFET の次のステップです。 3nm ノードで使用される GAAFET 設計を下の図に示します。
ジョー・バイデン米大統領は先月工場を訪問した Samsung 平沢で3nm技術のデモンストレーションに参加 Samsung. 昨年、同社がテキサスに 10nm ファウンドリを建設するために 3 億ドルを投資するかもしれないという噂がありました。 これらの投資は 17 億ドルに達し、プラントは 2024 年に操業を開始する予定です。
いずれにせよ、新しいノードを作成する際の最大の関心事は出力です。 昨年月に Samsung 3nmプロセスの性能は「4nmプロセスと同レベルに近づいている」と述べた。 同社は公式の数値を提示していませんが、アナリストは 4 nm ノードが Samsung 生産量の問題に関連していました。
第 3 世代の 2023nm ノードは 2 年に予定されており、同社のロードマップには 2025 年の nm MBCFET ベースのノードも含まれています。
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