TSMC は、チップ生産の主要プレーヤーの 3 つです。 台湾のメーカーの製造プロセスは、世界で最も先進的なものの つです。 入手可能なデータによると、TSMC は ナノメートル技術プロセスの試作を開始しました。 また、このチップの量産は来年の第 四半期に開始されると報告されています。
最近の四半期決算発表で、TSMC の CEO である Wei Zhejia 氏は、3nm プロセスのテスト生産は 2021 年に開始され、量産は 2022 年後半に開始されると述べました。
業界ネットワークの専門家が明らかにした情報が正しければ、Wei Zhejia は来年 4 月の金融アナリスト向け電話会議で、このチップに関する詳細を明らかにする可能性があります。 今年 月に発表された第 四半期の損益報告書で、Wei Zhejia 氏は、第 四半期に nm プロセスが試作段階にあると述べました。
TSMC は公式 Web サイトで、3 ナノメートル プロセスは 5 ナノメートル以降のプロセス ノードの全範囲であると述べています。 3 nm 技術プロセスの超小型回路の場合、トランジスタの理論上の密度は 70 nm と比較して 5% 増加します。 さらに、動作速度が 15% 向上し、エネルギー効率が 30% 向上します。
Samsung - マイクロチップ生産の分野における TSMC の主な競争相手。 韓国の会社は、数年前に 3GAE (3nm Gate-All-Around Early) および 3GAP (3nm Gate-All-Around Plus) ノードを導入しました。 これらのプロセスは、大幅なエネルギー節約と全体的な生産性の向上を約束します。 この技術を提示して、同社は、3ナノメートルのプロセスがパフォーマンスを35％向上させると主張しています。 また、50LPP プロセスと比較してエネルギー消費量を 7% 削減します。
最近の報告によると、 Samsung は、3 年までに 2022 ナノメートル プロセスの試作を開始する予定です。 同社は 2 ナノメートルのチップもリリースする予定ですが、2025 年までにはリリースされません。 新しい技術プロセスの導入の延期は、マイクロ回路の製造業者が、その不足に対処するというより重要な課題に直面しているという事実に関連しています。 優先事項はプロセッサの需要を満たすことであり、新技術の導入を急ぐことではありません。
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