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会社 Samsung は、インメモリ コンピューティング用の MRAM (磁気抵抗ランダム アクセス メモリ) テクノロジを世界で初めて実証したと発表しました。 「インメモリ コンピューティングのためのクロス アレイ磁気抵抗デバイス」というタイトルの同社の論文は、Nature 誌に掲載されました。
通常、データはプロセッサの高速 DRAM に格納されます。 しかし、MRAM は状況を変え、データ ストレージと計算を統合し、両方を同じチップ上で実行できるようにします。 理論的には、プロセッサのメモリからデータを転送する必要がないため、この場合の操作ははるかに高速に実行されます。 さらに、データ処理がメモリ内で非常に並列的に行われるため、電力の大幅な節約が達成されます。
PRAM や RRAM などの他のインメモリ コンピューティング ソリューションは既に実証されていますが、動作する MRAM は主に抵抗が低いために実現が非常に困難であったため、この実証は画期的なものです。 また、標準のインメモリ コンピューティング アーキテクチャで MRAM の電力効率の利点を活用することもできませんでした。
会社 Samsung 抵抗の問題を解決するために、標準のCurrent-Sumの代わりにResistance Sumを使用する独自のMRAMアレイチップでMRAMを可能にしました。
このソリューションは、人工知能 (AI) アプリケーションを使用してテストされ、手書き数字の分類で 98% の精度、画像内の顔の検出で 93% の精度を示しました。 Samsung は、MRAM テクノロジを AI 処理に使用して、高性能 AI チップを作成できると主張しています。
この論文の筆頭著者である Seunchul Jung 博士は次のように述べています。 実際、私たちのMRAMネットワークによって実行される計算は、現在のところ脳によって実行される計算とは異なる目的を持っていますが、そのような固体メモリネットワークは、将来、通信をシミュレートすることによって脳をシミュレートするためのプラットフォームとして使用される可能性があります.脳のシナプス。」
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