 для авіації і космосу.){kind=link}
航空宇宙アプリケーション向けの 1 ギガビット (128 MB) STT-MRAM ディスクリート メモリ チップの発売が発表されました。 これは、以前に提供されたものよりも何倍も高密度の磁気抵抗メモリです。 STT-MRAMメモリ要素の配置の実際の密度は、航空宇宙および防衛産業向けの超信頼性の高い電子スタッフィングを製造するMicross社の製品について話すと、64倍になります。
STT-MRAM Micross チップは、アメリカの Avalanche Technology 社の技術に基づいています。 Avalanche は、Lexar および Cirrus Logic 出身の Peter Estakhri によって 2006 年に設立されました。 アバランチ、エバースピンに加えて、 Samsung. 22 つ目は GlobalFoundries と協力して機能し、 nm の技術標準を備えた組み込みおよびディスクリート STT-MRAM のリリースに焦点を当て、 つ目 (Samsung）コントローラーに組み込まれた28 nmブロックの形でSTT-MRAMをリリースしながら。 ちなみに、1Gbの容量を持つSTT-MRAMのブロックは、 Samsung 約年前に発表。
Micross のメリットは、NAND フラッシュの代わりにエレクトロニクスで使いやすいディスクリート 1Gbit STT-MRAM のリリースと見なすことができます。 STT-MRAM メモリは、より広い温度範囲 (-40° C から 125° C) でほぼ無限の書き換えサイクルで動作します。 放射線や温度変化を恐れず、最大 10 年間データをセルに保存できます。また、読み書き速度が速く、エネルギー消費が少ないことは言うまでもありません。
STT-MRAM メモリはデータを磁化の形でセルに格納することを思い出してください。 この効果は、1974 年に IBM でのハード ドライブの開発中に発見されました。 より正確には、MRAM技術の基礎となった磁気抵抗効果が発見されました。 その後、電子スピン（磁気モーメント）移動効果を利用して記憶層の磁化を変化させることが提案されました。 したがって、略語STTがMRAMという名前に追加されました。 エレクトロニクスにおけるスピントロニクスの方向性はスピンの移動に基づいており、プロセス中の電流が非常に小さいため、チップの消費が大幅に削減されます。
また読む：