会社 ミクロン技術 世界初の176層フラッシュメモリの出荷開始を発表 3D NAND. メーカーによると、高度なアーキテクチャを使用することで「根本的なブレークスルー」が可能になり、ストレージ密度だけでなくパフォーマンスも大幅に向上しました。 新しいメモリは、データ センター、スマート周辺機器、モバイル デバイスのストレージに適用されます。
目新しさは、3D NAND の第 3 世代であり、市場で入手可能な開発の中で最も技術的に進んだ RG (replacement-gate) アーキテクチャの第 35 世代です。 Micron が製造した前世代の 176D NAND と比較して、読み取りおよび書き込みの遅延は 30% 以上削減されています。 もう つの利点はコンパクトな設計です。 層のメモリ ダイは、クラス最高の競合製品よりも約 % 小さいため、新しいメモリは小さなフォーム ファクタが重要なアプリケーションに最適です。
また、マイクロンの第 3 世代 1600D NAND は、オープン NAND フラッシュ インターフェース (ONFI) バス上で 33 秒あたり 1200 百万転送 (MT/s) という業界をリードするデータ転送速度を誇っています。前世代の 96 層および 128 層の 3D NAND Micron メモリ。
マイクロンは業界の代表者と協力して、新しいメモリの採用を加速しています。 Micron の 176 層 3 レベル 2021D NAND メモリは、Micron のシンガポール工場で連続生産されており、現在、Crucial のコンシューマ ソリッド ステート ドライブの製品ラインを含め、顧客に提供されています。 同社は、 暦年中に、この技術に基づく追加の新製品を導入する予定です。
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