マイクロ回路の日本のメーカー キオシア 開発されたフラッシュメモリ NAND 約 170 層で、米国の対応する Micron Technology や韓国の SK Hynix と先進技術の開発に参加しています。
新しいNANDメモリは、米国のパートナーと共同開発されました ウェスタンデジタル キオクシアの現在のトップ製品である112層からなる倍の速度でデータを記録できます。
以前は東芝メモリとして知られていた Kioxia は、半導体業界の年次グローバル フォーラムである International Solid State Conference で新しい NAND を発表する予定であり、早ければ来年にも大量生産を開始する予定です。
第世代の無線技術の普及により、データ通信量と通信速度が増大する中、データセンターやスマートフォンに関連する需要に応えたいと考えています。 しかし、この分野での競争はすでに激化しています。Micron と SK Hynix は新製品を発表しています。
Kioxia はまた、新しい NAND で層ごとにより多くのメモリ セルを収めることができました。つまり、同じ量のメモリを持つ他社よりもチップを 30% 小さくすることができます。 マイクロ回路が小さくなると、スマートフォン、サーバー、その他の製品の作成における柔軟性が高まります。
フラッシュ メモリの生産を増やすため、キオクシアと Western Digital は今春、日本の四海道に 9,45 億 2022 万ドルを投じて工場の建設を開始する予定です。 彼らは、早ければ年に最初のラインを稼働させることを目指しています。
また読む：